長江存儲(chǔ)已于11月9日起訴美光及子公司侵犯其8項(xiàng)美國專利，長江存儲(chǔ)稱訴訟是為了終止美光廣泛且未經(jīng)授權(quán)使用長江存儲(chǔ)專利創(chuàng)新。

此前，長江存儲(chǔ)和美光都已經(jīng)先后研制出232層3D NAND閃存顆粒，但根據(jù)美國加利福尼亞北區(qū)法院公布的信息了解到，長江存儲(chǔ)已于11月9日起訴美光及子公司侵犯其8項(xiàng)美國專利。長江存儲(chǔ)在專利侵權(quán)起訴書中稱，訴訟是為了終止美光廣泛且未經(jīng)授權(quán)使用長江存儲(chǔ)專利創(chuàng)新。

長江存儲(chǔ)在起訴書中提到，美光使用長江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，以抵御來自長江存儲(chǔ)的競爭，并獲得和保護(hù)市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面：美光試圖通過迫使長江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新。長江存儲(chǔ)指控美光侵犯了美國專利號為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的專利。美光被控侵權(quán)的產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產(chǎn)品，包括了美光目前在售的大部分閃存產(chǎn)品以及固態(tài)硬盤產(chǎn)品。

長江存儲(chǔ)在起訴書當(dāng)中表示，長江存儲(chǔ)不再是這一領(lǐng)域當(dāng)中的新人，無論是銷量還是技術(shù)水平都已經(jīng)成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲(chǔ)表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司在分析長存最新的232層3D NAND閃存時(shí)得出結(jié)論：長江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過了美光。

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